反應性濺鍍 

以直流磁控濺鍍基礎上，在進行濺鍍時，除了通入氬氣(作為撞擊靶材粒子)外、同時通入欲與靶材粒子產生反應之氣體，以期在基板(待鍍物)上交互反應產生化合物薄膜。

另外，通入欲反應之氣體與氬氣的比例需要做一定配比；因為當氬氣過多，反應氣體過少時，濺射出之靶材粒子與反應氣體不完全、或反應量不夠，而鍍製出的薄膜金屬性會偏高，化合物產物少，與期待之化合物薄膜不符；而當通入反應氣體過多，氬氣過少時會使得靶材毒化；即在靶材表面就發生反應，使得化合物沉積在靶材表面，進而降低導電率，而產生電荷累積。所以，在進行反應性濺鍍製程時，最重要的就是反應性氣體與氬氣的配比，對於不同的靶材，反應性氣體與氬氣有不同配比，是產生高品質化合物的最主要關鍵。