/ 反應性濺鍍 /

製程說明：
以直流磁控濺鍍為基礎，同時通入氬氣（作為撞擊靶材的氣體）與反應性氣體（與靶材粒子反應生成化合物），在基板上形成所需的化合物薄膜

氣體比例控制：

• 氬氣與反應性氣體需嚴格調控配比
• 氬氣過多、反應氣體不足：生成的薄膜金屬性偏高，化合物含量不足，無法達到預期化合物薄膜品質
• 反應氣體過多、氬氣不足：靶材表面會形成化合物（靶材毒化），降低靶材導電率，造成電荷累積，影響濺鍍效率

關鍵重點：

• 不同靶材需調整反應氣體與氬氣的最佳配比
• 合理配比是產生高品質化合物薄膜的核心